元器件-电阻
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电阻原理

概念:电阻是描述物体导电能力的物理量,是由其材料所决定的

基本公式

电阻定义式

$$
R = \rho \frac{L}{S}
$$

  • ρ为材料电阻率,L为导体长度,S为横截面积,常用于材料电阻计算

欧姆定律

$$
R = \frac{U}{I}
$$

  • 描述电阻两端电压 U与电流 I的关系,适用于线性电路

串联与并联公式

  1. 串联总电阻$$
    R\_{\text{总}} = R\_1 + R\_2 + R\_3 + \dots + R\_n
    $$
  2. 并联总电阻$$
    \frac{1}{R\_{\text{总}}} = \frac{1}{R\_1} + \frac{1}{R\_2} + \dots + \frac{1}{R\_n}
    $$
    • 简化形式(仅两电阻):$$
      R\_{\text{总}} = \frac{R\_1 R\_2}{R\_1 + R\_2}
      $$
    • 并联电路总电阻小于任意分电阻。

功率相关公式

  1. 功率计算$$
    P = I^2 R = \frac{U^2}{R} = U I
    $$
    • 根据已知量选择公式,适用于纯电阻电路。
  2. 电能/电热公式$$
    W = U I t = I^2 R t =\frac{U^2}{R} t
    $$
    • 用于计算电阻消耗的电能(焦耳定律)

电阻模型

低频:集总参数模型

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高频:分布参数模型

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技术参数

标称阻值、精度

电阻阻值标准

电阻的阻值是无穷的吗,当我们理论计算完成后的电阻可以直接应用吗,当然不是,实际我们不可能把所有阻值的电阻都生产出来 引入优先数原理:19世纪末,法国人查尔斯雷诺提出,比如要将10分5份,正常做法为等差数列,但其相对差太大,于是采用等比数列方法,先求出公比,将10开5次方,为1.60,这样就可以分为1.00、1.60、2.50、4.00、6.30、10.00,所以要分多少份就对10开多少次方,然后用等比数列分配即可。

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E24电阻大全

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E96电阻大全

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贴片电阻阻值识别

封装 0603 以上的电阻(包含 0603)在表面都印有丝印。 丝印展示出了 2 层意义:阻值大小和精度。 常用电阻丝印一般有这几种情况: 1) 带有三位或者四位数字的丝印 2) 带有字母“R”的丝印

带有数字和 R 之外字母的丝印 带有三位或者四位数字的丝印 三位数字表示 5%精度的,四位数字表示 1%精度的,前面几位表示数值,最后一位表示 10 的 x 次方。 例 1:丝印为“103”,则:R = 10 ∗ 103 = 10kΩ,5%精度 例 2:丝印为“1003”,则:R = 100 ∗ 103 = 100kΩ,1%精度 带有字母“R”的丝印 带字母”R”的电阻一般阻值较小,精度多为 1%,不过也不绝对,可以把 R 看作是小数点,前边的数字为有效值。 例:丝印为“22R0”,将 R 看作小数点,前面的 22 表示有效值,读数为 22.0Ω,即精度为 22Ω的 1%精度电阻。 带有数字和 R 之外字母的丝印 这种电阻丝印在 0603 封装中比较常见,精度为 1%,与之对应的标准为 E-96。 E-96 规定:用两位数字加一个字母作为丝印,实际阻值可以通过查表来获取,两位数字表明了电阻 数值,字母表明了 10 的 x 次方,也需要查表。

  1. 在这里插入图片描述

3、色环电阻阻值识

尾环为精度环,与其他环间隔较大 倒数第二个环为倍乘数环

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温度系数

温度系数TCR指环境温度每变化1℃引起阻值的相对变化系数。温度系数越小,表征电阻的温度稳定性越好。 不同材料的TCR有很大的差别;一般情况下:碳膜>线绕>玻璃釉>金属氧化膜>金属膜>片状厚膜>片状薄膜; 相同材料不同阻值的,甚至相同阻值的TCR都可能正负不同,同一批次生产的一般应该是符号一致的; 电阻的自热也会造成电阻值改变。大多数生产厂家的产品说明都给出“热阻”技术指标。热阻定义为电阻的有效温度与外部规定参考点的温度之差除以器件的稳态散耗功率所得的商,用(°C/W)单位表示。

额定功率

电阻的额定功率是指电阻在一定的气压和温度长期连续工作所承受的最大功率,如果电阻上所加功率超过 额定值,电阻就有可能被烧毁 一般器件手册里的额定功率是在70℃环境温度下设定的,如果环境温度超过70℃,一定要进行功率降额使用。

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最大工作电压

电阻在其工作电路中,作用于其两端的电压不应该超过其最大工作电压,最大工作电压主要基于绝缘要求,取决于电阻的材料和工艺,如果电阻的电压超过其最大工作电压,则很有可能击穿电阻上的一些绝缘部分,甚至直接击穿空气。

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固有噪声

电阻的噪声主要由三大类型组成:热噪声(Thermal noise)、接触噪声(contact noise)、射击噪声(shot noise)。一般情况下:线绕<薄膜<厚膜<金属膜<金属氧化膜<碳膜。 (1) 热噪声(电子的无序运动引起)主要取决于温度、频宽、阻值;       其中Vn=噪声的峰值电压    Kb=Boltzman常数    T=温度    B=噪声带宽    R=阻值 (2)接触噪声主要取决于平均电流、频宽、材料、几何形状。膜式电阻的主要噪声就是接触噪声,在低频部分尤其明显(因为具有1/f的属性);线绕电阻没有接触噪声。 (3)射击噪声(单位时间通过PN结的载流子数目变化造成)主要取决于频宽、平均电流。 (4)低噪声设计 尽量使用低阻值,因为热噪声和阻值成正比; 大功率电阻,越大的几何材料产生的接触噪声会越少; 保持流过电阻的电流小,因为噪声和电流成正比关系; 在低噪声(如前置放大电路)和高频电路中,优先考虑选用片状表贴电阻,其次为金属膜电阻。

电压系数

失效模式

主要失效模式

1、开路:阻膜烧毁(通常表现为中心空洞)或大面积脱落、基体断裂、引线帽与阻体脱落; 2、短路:银迁移; 3、阻值漂移:阻膜缺陷或退化、保护涂层不良。 4、引线断裂:焊接工艺缺陷、焊点污染、机械应力损伤。

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失效机理分析

固有机理失效

(1)阻膜结晶 阻膜一般用沉积方法获得,在一定程度上存在结晶致密化趋势,引起阻值的下降。结晶化速度随温度升高而加快。 (2)电应力加速老化 电应力加速电阻老化,其加速老化作用比高温老化更显著,原因是电阻体与引线帽接触部分的温升超过电阻体的平均温升。 (3)电解作用 电应力作用下,电阻基体所含的碱金属离子在槽间电场中位移,产生离子流。碳膜或金属膜表现为电解氧化;金属氧化膜表现为电解还原。电解作用的后果使阻值增大,出现薄膜破坏现象。湿气存在时,电解过程更为剧烈。 (4)气体解吸或吸附 金属膜在晶粒边界或导电颗粒和粘结剂部分,总可能吸附非常少量的气体,构成了晶粒之间的中间层,阻碍了导电颗粒之间的接触,导致阻值漂移。 合成膜电阻在真空或低气压工作时,解吸部分气体,改变了导电颗粒之间的接触,使阻值下降。 温度和气压是影响气体吸附或解吸的主要环境因素,降温可增加平衡吸附量,升温则反之。 (5)氧化或硫化 与吸附不同,氧化是长期起作用的因素。氧化从由电阻体表面开始,逐步向内部深入。除了贵金属与合金薄膜电阻外,其他材料的电阻体均会受到空气中氧的影响。氧化的结果是阻值增大。阻膜层愈薄,氧化影响愈更明显。 电阻端电极中的银电极层与电阻材料物质直接相联,在含硫的空气中,银电极层和空气中的硫反应形成Ag-S合物;Ag-S化合物相当于在银电极层与电阻材料之间增加了一种新的物质,使得阻值变大或是开路。 防止氧化或硫化的根本措施是密封。采用有机材料(树脂等)涂覆,虽然不能完全防止保护层透湿或透气,但能起到延缓氧化的作用。 (6)银迁移 银迁移(Silver Migration)现象是指在潮湿环境中,水分子渗入含银导体表面电解形成氢离子和氢氧根离子,银在电场及氢氧根离子的作用下,离解产生银离子,并产生下列可逆反应:在电场的作用下,银离子从高电位向低电位迁移,并形成絮状或枝蔓状扩展,在高低电位相连的边界上形成黑色氧化银。银离子的迁移会造成无电气连接的导体间形成旁路,造成绝缘下降乃至短路。

电应力失效

(1)过电应力(EOS) 过电应力(EOS)是指施加到元器件的电应力(包括连续电应力、短时电应力)超过其允许的最大范围。EOS的作用时间一般大于1us,其损伤可用光学显微镜观察。 (2)静电(ESD) 静电(ESD)是指元器件在加工生产、组装、贮存以及运输过程中,可能与带静电的容器、测试设备及操作人员相接触,所带静电经过器件引脚放电到地,使器件受到损伤或失效。ESD损伤通常要用SEM观察。分为突发性和潜在性两种模式: 突发性失效是指元器件受到静电放电损伤后,完全丧失功能,主要表现为开路、短路或参数严重漂移。 潜在性失效是指静电放电能量较低,仅在元器件内部造成轻微损伤,器件电参数仍然合格或略有变化。但器件的抗过电应力能力已经明显削弱,再受到工作应力后将进一步退化,使用寿命将明显缩短。

热应力失效

环境温度超过规定的最大值,导致产品材料形变或内部发热。

机械应力失效

施加在元器件上的机械应力(振动、冲击、离心力、安装应力或其他力学量)超过规定的最大值,导致元器件结构发生不可逆变化。 电阻的可靠性很大程度上取决于电阻的机械性能。

污染、腐蚀失效

(1)污染失效 污染物携带导电离子,引入附加导电通道而影响元器件功能;污染引起结构、质量(重量)变化改变污染部位的性质,如晶体谐振器有微小的附加质量就出现频率偏移甚至停振。污染引起的失效可以在早期发生,即早期失效,也可以是使用过程发生,即随机失效。污染主要有4种: 工艺残留:工艺过程中使用的化学品清洗不干净的残留; 外来物污染:工艺过程中对外来物控制不到位引起的污染; 人体污染:作业过程人体接触引入人体特有的污染; 环境污染:有害气体的侵蚀,如SO2、HCl等。 (2)腐蚀失效 污染携带了腐蚀性离子,发展为腐蚀。腐蚀主要有3种: 有害元素(或离子)接触元器件的金属部分,直接腐蚀; 腐蚀性元素(例如Cl)与水共同作用对元器件的金属部分进行的腐蚀; 电化学腐蚀:两金属电极在电场、水、离子(可电离)的条件下,阳极金属被逐步腐蚀。

预防措施

针对应用环境条件(湿度、温度、工业气体密度等),选择适合的电阻材料,缓解由于环境条件引起的老化或失效,采取有效的清洗和三防措施(防潮、防雾、防霉变); 进行合理的降额设计,在寿命周期内减缓由于温升或过电应力引起的老化或失效; 选择适宜的加工工艺,避免加工环节引起的加速老化、侵蚀或机械应力损伤。

电阻种类

.固定电阻

材料工艺

不同工艺的电阻阻值、体积成本、精度、功率、频率、噪声特性都有差异

线绕电阻
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  1. 结构与材料
  • 核心构成线绕电阻由电阻丝缠绕在绝缘骨架上构成。
    • 电阻丝材质:采用镍铬、锰铜或康铜合金(电阻率稳定且耐高温)。
    • 骨架材料:陶瓷、塑料、涂覆绝缘层的金属等,陶瓷骨架兼具耐热性和机械强度,适用于大功率场景。
    • 封装方式:表面覆盖保护漆、玻璃釉或硅树脂,部分高功率型号外层涂覆耐热釉层或采用铝壳散热。
  • 绕制工艺 电阻丝可单层或多层绕制,部分采用无感绕法(反向绕线抵消电感),以减少高频干扰。
  1. 原理和特性
  • 基础原理:基于欧姆定律,电流通过电阻丝时产生阻抗。其阻值由电阻丝长度、截面积及材料电阻率决定。
  • 温度稳定性:温度系数低(5-20ppm/℃),适用于精密电路。
  • 功率特性:耗散功率可达数百瓦,耐高温(150-300℃),常用于大电流场景。
  • 高频性能缺陷 传统线绕电阻因线圈结构存在寄生电感和电容,高频下易产生感抗干扰。无感绕制或双线并绕工艺可缓解此问题。
  1. 制造工艺
  • 封装技术
    • 普通封装:绝缘漆或硅树脂(成本低,耐温≤175℃)。
    • 高性能封装:被釉(耐温345℃)、陶瓷外壳(散热优异),适用于极端环境。
  • 无感设计 采用双线并绕或分段反向绕制,使相邻线圈磁场相互抵消,电感量降低至可忽略水平,适用于高频电路。
非线绕电阻
实心电阻
  • 有机实心电阻

工艺:有机实心电阻器是把颗粒状导电物(如炭黑、石墨)、填充料(如云母粉、石英粉、玻璃粉、二氧化钛)和有机黏合剂(如酚醛树脂等)等材料混合均匀后热压在一起,然后装在塑料壳内组成的电阻器,它的引线直接压塑在电阻体内。 特点:机械强度高,可靠性好,过负荷能力强,体积小,价格低廉,噪声大分布参数大,电压、温度稳定性差,阻值范围为4.7Ω-22MΩ,工作电压为250-500V,额定功率为1/4W-2W,不适合要求高的电路

  • 无机实心电阻

工艺:无机实心电阻器是把颗粒状导电物(如炭黑、石墨)、填充料和无机黏合剂(如玻璃釉等)等材料混合压制成型后再经高温烧结而成,然后装在塑料壳内组成的电阻器,它的引线直接压塑在电阻体内。

特点:温度系数大,阻值范围小

薄膜电阻(常用)

1、碳膜电阻

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工艺:碳膜电阻是用有机粘合剂将碳墨、石墨和填充料配成的悬浮液涂覆于陶硅基体上,经真空高温烧结形成皮膜(气态碳氢化合物在真空高温中分解,碳沉积在基体上),然后加适当接头切割,并在其表面涂上环氧树脂密封保护而成的。其表面常涂以绿色保护漆。碳膜的厚度决定阻值的大小,通常用控制膜的厚度和刻槽来控制电阻器。 特点:稳定性高、负温度系数小、高频特性好,受电压频率影响较小,脉冲负荷稳定,阻值范围大,制作工艺简单,生产成本低

2、合成碳膜电阻

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工艺:合成碳膜电阻器是用有机粘合剂将碳墨、石墨和填充料配成悬浮液涂覆于绝缘基体上,经加热聚合而成 特点:阻值范围大,10Ω-10的6次MΩ,额定功率范围为1/4-5W,最大工作电压为35kV。但其抗湿性差,电压稳定性差,频率特性差,噪声大。不适合做通用电阻,主要用于高压、高阻,可用于微电流测试。

3、金属膜电阻

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工艺:金属膜电阻是用高温真空镀膜技术(真空蒸镀法或磁控溅镀法)将镍铬或类似的合金紧密附着在陶硅基体上形成皮膜,施行螺旋状切条调整阻值,再加二端导线及涂装而成。 特点:稳定性和耐热性好,温度系数小,工作频率范围宽,噪声电动势很小

4、金属氧化膜电阻

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工艺:金属氧化膜电阻器就是以特种金属或合金作电阻材料,用真空蒸发或溅射的方法,在陶瓷或玻璃基本上形成氧化的电阻膜层,施行螺旋状切条调整阻值,最后再加两端导线及涂装而成。 特点:比金属膜电阻抗氧化能力强,抗酸、抗盐能力强,耐热性好。由于材料特性和膜层厚度限制,阻值范围小,范围为1Ω-200kΩ

5、玻璃釉膜电阻

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工艺:玻璃釉膜电阻是由贵金属银、钯、铑、钌等的氧化物(如氧化钯、氧化钌等)粉末与玻璃釉粉末混合,再与有机粘合剂按一定的比例调制成一定粘度的浆料,涂覆在陶硅基体上,经真空高温烧结形成皮膜,施行螺旋状切条调整阻值,再加二端导线及涂装而成。 玻璃釉膜电阻用符号RI表示。 特点:耐高温能力差,耐湿性好,稳定性好,噪声小,温度系数小,阻值范围大,阻值范围为4.7Ω-200MΩ,额定功率有1/8W,1/4W,1/2W,1W,2W,大功率有500W,最高电压为15kV

厚膜电阻(常用)

厚膜电阻主要是指采用厚膜工艺印刷而成的电阻,在陶瓷基底上贴一层钯银电极,然后在电极之间印刷一层二氧化钌作为电阻体,厚度通常为100um。厚膜电阻是目前使用最多的电阻,价格低廉,容差有5%和1%。

金属箔电阻
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金属箔电阻是通过真空熔炼形成镍铬合金,然后通过滚碾的方式制作成金属箔,再将金属箔黏合在氧化铝陶瓷基底上,再通过光刻工艺来控制金属箔的形状,从而控制电阻。金属箔电阻是目前性能可以控制到最好的电阻

用途

1、通用电阻 线绕型、实心型、厚膜型、碳膜型、金属膜型、金属氧化膜型、玻璃釉膜型

2、精密电阻 线绕型、碳膜型、金属膜型、金属箔型

3、高阻电阻 厚膜型、合成碳膜型、金属膜型、玻璃釉膜型

4、功率电阻 线绕型、厚膜型、碳膜型、金属膜型

5、高压电阻 合成碳膜型、玻璃釉膜型

6、高频电阻 金属氧化膜型、金属箔型

封装

现在的设计电路,除特殊需求外(大功率),都是优选贴片元件,贴片元件和直插元件相比,体积和质量更小,可靠性高,抗震能力强,高频特性好,易于机器自动化焊接提升效率,贴片元件更好拆卸维修。

片状电阻
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片状电阻底部是白色,是其陶瓷基底的颜色 片状电阻根据其尺寸不同有着很多封装 01005、0201、0402、0603、0805、1206、1210、1218、2010、2512等 举例:0402 实际尺寸:1mm0.5mm 0.04 英寸0.02 英寸 封装越大,额定功率越大

插件电阻
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蓝色代表金属膜电阻,灰色代表氧化膜电阻,黄色或土黄色代表碳膜电阻,棕色代表是实心电阻,旅社代表线绕电阻,红色、棕色代表无感电阻,电阻厂家通常会按上面的标准生产。

可变电阻(除电位器外都是半导体)

电位器

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3296电位器(10R、20R、50R、100R、200R、500R、1K、2K、5K、10K、20K、50K、100K、200K、500K、1M 、2M)

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3362P电位器(100R、200R、500R、1K、2K、5K、10K、20K、50K、100K、200K、500K、1M)

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基本定义与分类

电位器由电阻体、滑动触点和调节机构组成,通过机械旋转或滑动改变接触点位置,从而调整阻值或输出电压。根据调节方式和材料特性,主要分为以下类型:

  1. 按阻值变化规律分类
    • 线性电位器:阻值与旋转角度呈线性关系,适用于精密调节场景(如仪器校准)。
    • 指数/对数式电位器:阻值变化符合人耳听觉特性,常用于音量控制(如音响设备)。
  2. 按结构分类
    • 旋转式:通过旋钮调节(如音量旋钮),行程范围广。
    • 滑动式:通过直线位移调节(如调光台灯),适合空间受限场景。
    • 数字电位器:通过数字信号控制阻值,精度高且抗干扰性强。image-20250302012547066
  3. 按材料分类
    • 合成碳膜电位器:成本低、分辨力高,但耐磨性较差。
    • 线绕电位器:耐高温、功率大,常用于工业设备。
    • 有机实芯电位器:可靠性高、寿命长,适用于高频电路。

核心结构与工作原理
  1. 基本结构
    • 电阻体:核心导电材料(如碳膜、金属陶瓷),决定阻值范围和稳定性。
    • 滑动触点(电刷):接触电阻体并改变阻值的可移动部件,材质需耐磨(如银合金)。
    • 端子:通常为三个引脚(两个固定端,一个滑动端),部分型号支持多联设计。
  2. 工作原理
    • 分压模式:作为四端元件,输入电压施加于固定端,滑动端输出分压信号,公式为:$$
      V_{out} = V_{in} \cdot \frac{R_{AC}}{R_{AB}}
      $$
      其中 RAC为滑动端与固定端之间的阻值。
    • 可变电阻模式:作为二端元件,通过调整阻值直接控制电流。

关键性能参数
参数说明典型值示例
标称阻值电阻体两端总阻值(如10kΩ、100kΩ)1kΩ、50kΩ、500kΩ
精度最小可调阻值变化量(线绕型较低)0.1%~1%(碳膜型)
额定功率最大允许功耗(与散热设计相关)0.1W~5W
机械寿命可调节次数(高端型号可达10万次以上)1万~10万次
温度系数阻值随温度变化的敏感度(单位:ppm/℃)±100ppm/℃

典型应用场景
  1. 信号调节
    • 音量/亮度控制:通过分压原理调节音频信号或LED亮度。
    • 传感器校准:调整传感器输出信号的基准电压或增益。
  2. 电路保护与补偿
    • 电流限制:作为可变电阻限制启动电流(如电机控制)。
    • 温度补偿:修正电路中因温度变化引起的参数漂移。
  3. 工业与测量
    • 位置检测:将机械位移转换为电阻变化(如直线位移传感器)。

热敏电阻

在这里插入图片描述

热敏电阻是一种对温度敏感的半导体电子元件,其电阻值会随温度变化呈现显著的非线性响应。


基本定义与分类

热敏电阻(Thermistor)的命名源于“Thermal”(热)和“Resistor”(电阻)的组合,主要分为两类:

  1. 正温度系数热敏电阻(PTC)
    • 电阻值随温度升高而增大,典型材料如钛酸钡(BaTiO₃)。
    • 应用场景:过流保护、自恢复保险丝、电机启动等。
  2. 负温度系数热敏电阻(NTC)
    • 电阻值随温度升高而减小,材料多为锰、钴、镍等金属氧化物烧结陶瓷。
    • 应用场景:温度测量、浪涌电流抑制、温度补偿等。

核心特性与工作原理
  1. 温度-电阻关系
    • 非线性响应:NTC的阻值与温度关系遵循指数规律,公式为:$$
      R_T = R_0 \cdot e^{B(1/T – 1/T_0)}
      $$
      其中,RT​为温度T时的电阻,R0​为参考温度T0(通常25℃)的电阻,B为材料常数。
    • B值:反映电阻随温度变化的敏感度,不同温度区间的B值可能不同(如B25/50和B25/85)。
  2. 关键性能指标
    • 灵敏度:温度系数高达-2%-5%(NTC)或+0.5%+8%/℃(PTC),远超金属电阻。
    • 温度范围:常规器件覆盖-55℃~315℃,高温型可达2000℃,低温型可至-273℃。
    • 响应速度:毫秒级响应,适合快速温度反馈。

典型应用场景
  1. 温度测量与控制
    • 医疗设备(体温计)、家电(空调、冰箱)、工业设备(注塑机温控)。
    • 示例:锂电池通过NTC监控充放电温度,防止过热。
  2. 电路保护
    • PTC用于限制浪涌电流(如开关电源启动时)。
    • NTC用于温度补偿(如石英振荡器频率稳定)。
  3. 液位与流量检测
    • 双NTC法:通过液体内外温差判断液位,触发进液或报警。
  4. 环境监测
    • 红外热敏电阻用于安防(人体感应)、气象设备(风速测量)。

材料与制造工艺
  1. 材料类型
    • 金属氧化物:如Mn-Co-Ni氧化物(NTC),钛酸钡(PTC)。
    • 陶瓷与聚合物:陶瓷耐高温,聚合物适合微型化设备。
  2. 工艺步骤
    • 原料混合→球磨→成型→高温烧结→电极封装。

技术参数与选型要点
参数说明典型值示例
额定电阻(R25)25℃时的标称阻值5Ω(NTC5D-7)、10kΩ(10KB3435)
B值范围反映温度敏感度的材料常数3270~4200K(NTC)
最大功率耐受功率决定应用场景1mW~10W
温度系数(αT)单位温度变化引起的电阻变化率-4%/℃(NTC)

选型建议

  • 测温精度:高精度场景选B值稳定的NTC(如3950K)。
  • 环境适应性:高温环境选陶瓷封装,潮湿环境选环氧包覆。
  • 自热效应:小电流测量避免自热误差。

补充说明
  • 与RTD(铂电阻)对比:热敏电阻灵敏度更高,但线性度较差;RTD适合宽温区线性测量913
  • 失效模式:长期高温导致B值漂移,过流可能烧毁

力敏电阻

在这里插入图片描述
基本定义与原理
  1. 定义 力敏电阻(Force-Sensitive Resistor, FSR)是一种能将机械力转换为电信号的敏感元件,其阻值随施加的外力(如压力、拉力、扭矩等)变化而改变。它由导电高分子材料或半导体材料(如硅、硒碲合金等)制成,常见形态为薄膜或复合陶瓷结构。
  2. 工作原理
    • 压阻效应:材料在受力时,内部导电微粒间距改变,导致电阻率变化。例如,半导体材料受压后晶格变形,载流子迁移率变化,从而改变电阻值。
    • 结构响应:外力使弹性聚合物基质的微粒子分布密度变化,电阻值随之调整。例如,压力增大时微粒间距缩小,电阻降低。

主要特性
  1. 高灵敏度 可检测微小压力变化(如手指触摸或呼吸波动),灵敏度达克级至千克级。
  2. 线性度 多数力敏电阻的阻值变化与外力呈近似线性关系,便于预测和计算。
  3. 快速响应 毫秒级响应速度,适用于实时监测场景(如工业机器人控制)。
  4. 宽工作范围 覆盖几克到数千牛顿的压力范围,适配汽车、医疗等多领域需求。
  5. 耐用性 采用耐磨、耐腐蚀材料,稳定性高,抗环境温湿度变化。

应用领域
  1. 汽车电子
    • 用于油门踏板压力检测、轮胎气压监测、刹车系统控制等。
  2. 医疗设备
    • 呼吸机压力传感、假肢触觉反馈、手术器械力度控制。
  3. 工业自动化
    • 机器人抓取力控制、生产线物料重量检测、机械臂扭矩测量。
  4. 消费电子
    • 智能手机触控屏、电子秤、游戏手柄压力感应。
  5. 航空航天
    • 飞行器结构应力监测、航天服压力反馈。

常见类型与结构
  1. 压阻式
    • 通过半导体材料(如硅)的压阻效应工作,成本低、稳定性强,占市场主导地位。
  2. 应变式
    • 使用金属或半导体应变片,形变导致电阻变化,精度高但成本较高。
  3. 电容式
    • 基于电极间距变化引起的电容变化,适用于高精度测量(如医疗仪器)。

使用注意事项
  1. 精度限制 部分型号误差可达10%以上,需校准或选择高精度型号。
  2. 环境干扰 极端温度或湿度可能影响性能,需搭配保护电路或封装。
  3. 长期稳定性 材料老化可能引起漂移,建议定期维护或选择高可靠性产品

湿敏电阻

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土壤湿度监测传感器

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雨水检测传感器

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基本概念与原理

湿敏电阻是一种 电阻值随环境湿度变化 的敏感元件,由 湿敏层、电极和绝缘基体 构成。其核心原理是:感湿材料(如半导体陶瓷、氯化锂或高分子聚合物) 吸收水分子后,内部导电特性发生变化,导致电阻值改变。

  • 正/负湿度系数:
    • 正系数:湿度↑ → 阻值↑(如某些半导体陶瓷)
    • 负系数:湿度↑ → 阻值↓(如氯化锂湿敏电阻)

主要类型与结构
  1. 半导体陶瓷湿敏电阻
    • 材料:如铬酸镁-二氧化钛(MgCr₂O₄-TiO₂)陶瓷。
    • 特点:耐高温(可达150℃以上)、宽湿度检测范围、稳定性高,适用于工业环境。
  2. 氯化锂湿敏电阻
    • 结构:聚碳酸酯基片上的梳状金电极 + 氯化锂胶状溶液。
    • 应用:湿度计、空调控制系统,需配合温度补偿。
  3. 有机高分子膜湿敏电阻
    • 材料:如聚苯乙烯、聚酰亚胺。
    • 特点:响应快、耐高温气体,常用于工业湿度监测。

核心特性
  1. 高灵敏度:湿度变化10%~90%时,阻值可变化数十倍。
  2. 快速响应:毫秒级反应速度,优于传统机械式传感器。
  3. 稳定性与线性度:长期使用易受污染,需定期校准;部分材料(如陶瓷)稳定性较高。
  4. 温度依赖性:需搭配热敏电阻补偿温度干扰。

典型应用场景
  1. 家电领域:
    • 洗衣机、空调、除湿机的湿度控制。
  2. 农业与环保:
    • 土壤湿度监测、温室环境调控。
  3. 工业自动化:
    • 纺织、食品加工中的湿度监控。
  4. 医疗设备:
    • 呼吸机湿化器、尿床报警器。

使用注意事项
  1. 供电方式:必须使用 交流电源(50Hz~1kHz),避免直流电导致材料极化失效。
  2. 污染防护:长期暴露需防尘、防油污,否则灵敏度下降。
  3. 温度补偿:通过热敏电阻或算法修正温漂。
  4. 避免结露:高湿环境(>95%RH)可能损坏感湿膜。

检测与维护
  • 万用表检测:通过改变湿度观察阻值变化,若阻值无变化或趋近零/无穷大则损坏。
  • 电桥法:精确测量阻值,避免普通万用表的直流干扰

压敏电阻

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“压敏电阻”是一种具有非线性伏安特性的电阻器件,主要用于在电路承受过压时进行电压钳位,吸收多余的电流以保护敏感器件。英文名称叫“Voltage Dependent Resistor”简写为“VDR”。压敏电阻器的电阻体材料是半导体。 压敏电阻是一种限压型保护器件。利用压敏电阻的非线性特性,当过电压出现在压敏电阻的两极间,压敏电阻可以将电压钳位到一个相对固定的电压值,从而实现对后级电路的保护。压敏电阻的主要参数有:压敏电压、通流容量、结电容、响应时间等。 压敏电阻的响应时间为ns级,比气体放电管快,比TVS管稍慢一些,一般情况下用于电子电路的过电压保护其响应速度可以满足要求。压敏电阻的结电容一般在几百到几千Pf的数量级范围,很多情况下不宜直接应用在高频信号线路的保护中,应用在交流电路的保护中时,因为其结电容较大会增加漏电流,在设计防护电路时需要充分考虑。压敏电阻的通流容量较大,但比气体放电管小。压敏电阻器简称VDR,是一种对电压敏感的非线性过电压保护半导体元件。 当加在压敏电阻上的电压低于它的阈值时,流过它的电流极小,它相当于一个阻值无穷大的电阻。也就是说,当加在它上面的电压低于其阈值时,它相当于一个断开状态的开关。 当加在压敏电阻上的电压超过它的阈值时,流过它的电流激增,它相当于阻值无穷小的电阻。也就是说,当加在它上面的电压高于其阈值时,它相当于一个闭合状态的开关

基本概念与工作原理

压敏电阻(Voltage Dependent Resistor, VDR)是一种具有非线性伏安特性的半导体器件,其核心功能是 对过电压进行钳位保护

  • 工作原理:
    1. 正常状态:当两端电压低于标称电压(如470V)时,电阻值极高(MΩ级),漏电流极小(μA级),相当于开路状态。
    2. 过压状态:当电压超过标称值时,内部晶粒间发生雪崩击穿,电阻骤降至mΩ级,形成低阻通路吸收浪涌电流,并将电压限制在安全范围。
    3. 失效机制:若持续承受过高电压或多次浪涌冲击,压敏电阻可能不可逆击穿短路,需配合保险丝或温度保护装置切断电路。

核心参数与选型要点
  1. 标称电压(V1mA):
    • 定义:通过1mA直流电流时两端的电压值。
    • 选型公式:对于220V交流系统,计算为 V{1mA} = 1.5 \times V{peak} \approx 470-480VV1m**A=1.5×Vpe**ak≈470−480V
  2. 通流容量:
    • 表示器件可承受的最大浪涌电流(如8/20μs波形),常见范围为2-20kA,需根据实际浪涌能量选择。
  3. 最大限制电压:
    • 器件可承受的最高峰值电压,需高于被保护电路的最大耐压值。
  4. 漏电流与响应时间:
    • 正常工作时漏电流通常<50μA,响应时间达ns级,适合高频瞬态过压防护。

典型应用场景
  1. 防雷与浪涌保护:
    • 用于电源输入端口(如220V市电)、通信线路等场景,吸收雷电或开关操作引起的瞬态高压。
  2. 感性负载保护:
    • 抑制电机、继电器等感性负载断开时产生的反电动势,防止触点火花和元件损坏。
  3. 半导体器件保护:
    • 并联在晶体管、集成电路等敏感器件两端,防止过压击穿。
  4. 高压设备防护:
    • 如电力变压器、发电机等,通过氧化锌压敏电阻吸收能量。

分类与选型建议
  1. 普通型(浪涌吸收型):
    • 用于随机瞬态过压防护,如家用电器(型号示例:07D471、10D561)。
  2. 中高能型:
    • 适用于起重机、互感器等大电感负载的磁能吸收,能量密度更高。
  3. 高功率型:
    • 针对周期性高频脉冲(如开关电源),需计算平均功率耐受能力。

使用注意事项
  1. 必须串联保险丝:
    • 压敏电阻击穿后可能引发短路,需通过保险丝快速切断电源。
  2. 避免长期过压:
    • 长期工作电压需低于标称值的80%,否则加速器件老化。
  3. 温度与布局优化:
    • 高温环境需降额使用,PCB布局时尽量缩短引线长度以降低寄生电感。

失效保护机制
  • 过温保护:通过温度保险丝(TCO)或热熔断器监测压敏电阻温度,防止短路引发火灾。
  • 多级防护设计:结合气体放电管(GDT)、TVS二极管形成多级保护网络,提升可靠性。

磁敏电阻

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磁敏电阻(Magnetic Sensitive Resistor)是一种基于磁阻效应的电子元件,其阻值随外界磁场强度或方向的变化而改变。这种特性使其广泛应用于磁场检测、位移测量、无触点开关等领域。


核心原理
  1. 磁阻效应包括两种机制:
    • 物理磁阻效应:半导体材料的电阻率直接受磁场影响,载流子在磁场中运动轨迹偏转,导致电阻率增大。
    • 几何磁阻效应:磁场改变电流路径的几何形状,从而改变电阻值。 例如,锑化铟(InSb)在磁场中载流子偏转形成更长的电流路径,电阻显著增加。
  2. 材料特性
    • 半导体材料:如InSb、砷化铟(InAs)、砷化镓(GaAs),电子迁移率高,灵敏度高但温度稳定性差(如InSb受温度影响较大)。
    • 金属合金:如镍钴(Ni-Co)或镍铁(Ni-Fe)薄膜,温度系数小、稳定性好,适用于强磁场检测。

结构与参数
  1. 典型结构
    • 半导体型:由基片(云母/玻璃)、半导体电阻条(含短路条)和引线组成,通过光刻工艺缩小体积并提升灵敏度。
    • 金属薄膜型:采用真空镀膜工艺制成,适用于探测磁场方向或转速测量。
    • 封装形式:两端或三端片形膜式封装,三端内部含串联电阻。
  2. 关键参数
    • 磁阻比:特定磁场下阻值与零磁场阻值之比,反映灵敏度。
    • 磁阻系数:实际阻值与标称阻值的比例,用于校准。
    • 温度系数:金属薄膜型温度稳定性优于半导体(如Ni-Co薄膜温度系数约3000 ppm/℃)。

主要应用
  1. 磁场检测
    • 测量磁场强度、方向,如地理磁场检测、磁导航系统。
    • 弱磁场检测需附加偏置磁场(如0.01T以下环境)。
  2. 无触点控制
    • 接近开关:检测磁性物体位置,用于工业自动化。
    • 无触点电位器:通过磁场变化调节电阻值,避免机械磨损。
  3. 信号处理与运算
    • 实现乘法器、平方器等模拟运算,或用于频率/功率变换电路。
    • 磁卡识别、磁性油墨浓度检测(如金融防伪)。
  4. 传感器集成
    • 与霍尔元件配合,用于电机测速、位移传感器等。
    • 汽车领域:检测转速、节气门位置等。

选型与注意事项
  1. 灵敏度与磁场范围
    • 半导体型适合高灵敏度场景,金属薄膜型适合强磁场或宽温环境。
    • 需注意极限工作频率(如InSb-NiSb型为1-10MHz)。
  2. 抗干扰设计
    • 采用差分结构(如三端型)降低噪声,提升信噪比。
  3. 温度补偿
    • 高温环境下优先选择GaAs或金属合金材料

气敏电阻

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气敏电阻的定义与核心原理

气敏电阻是一种半导体传感器,其电阻值会随环境中特定气体浓度的变化而改变,从而将气体成分或浓度转换为电信号。

  • 材料基础:主要成分为金属氧化物(如SnO₂、ZnO、Fe₂O₃等),通过掺杂铂、钯等催化剂增强选择性。
  • 工作原理:
    1. 气体吸附在半导体表面,发生氧化还原反应,改变载流子浓度。
    2. N型半导体(如SnO₂)遇还原性气体(CO、H₂、CH₄等)时电阻值下降;P型半导体(如CoO)遇氧化性气体(O₂、Cl₂等)时电阻值下降。
    3. 需通过加热丝(300-400℃)维持工作温度以提高灵敏度。

分类与结构
  1. 按检测原理分类:
    • 电阻式:利用电阻变化检测气体(占主流)。
    • 非电阻式:基于半导体器件(如MOS结构)检测。
  2. 按加热方式分类:
    • 直热式:加热丝与电极集成,功耗大、稳定性差。
    • 旁热式:加热丝独立于电极,稳定性高(主流应用)。
  3. 典型结构:
    • 4引脚设计(2个电极、2个加热丝)。
    • 包含防爆网、氧化物敏感层、陶瓷基底等组件。

关键性能参数
  • 灵敏度:对气体浓度变化的响应程度,需根据应用场景选择(如低浓度检测需高灵敏度)。
  • 响应时间:接触气体后电阻变化至稳定的耗时(通常数秒至数十秒)。
  • 选择性:对目标气体的特异性响应,依赖材料与催化剂(如SnO₂对CO敏感)。
  • 稳定性:长期使用中的性能保持能力,受环境温湿度影响。

主要应用场景
  1. 安全监测:
    • 家庭煤气泄漏报警。
    • 工业可燃气体(甲烷、氢气)及有毒气体(CO、H₂S)检测。
  2. 环境控制:
    • 空气质量监测(SO₂、NOx等污染物)。
    • 汽车尾气处理(检测O₂浓度优化燃烧效率)。
  3. 医疗与特殊场景:
    • 酒精呼气测试仪。
    • 矿井瓦斯浓度预警。

五、选型与使用注意事项
  1. 选型要点:
    • 明确目标气体种类及浓度范围(如煤矿需高浓度检测能力)。
    • 环境适应性(高温、高湿场景需特殊设计)。
  2. 使用建议:
    • 定期校准以抵消长期漂移。
    • 避免交叉干扰(如油烟对煤气传感器的误触发)

光敏电阻

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基本概念与原理
  1. 定义 光敏电阻(Photoresistor/LDR)是一种利用半导体光电导效应制成的电阻器,其阻值随入射光强度变化而改变。光照增强时阻值降低,反之阻值升高。
  2. 材料与结构
    • 材料:硫化镉(CdS)、硒化镉、硫化铅等半导体材料,其中硫化镉最常用。
    • 结构:由光敏层、梳状电极和透明封装组成,表面常涂防潮树脂以提高稳定性。
  3. 工作原理 当光照到半导体材料时,光子能量使价带电子跃迁至导带,产生电子-空穴对,导电性增强,电阻值下降。无光照时载流子复合,电阻恢复。
关键特性与参数
  1. 数学特性:阻值变化与光强并非简单的线性关系,而是 指数关系:$$
    R = R_0 \times 10^{(k \cdot \log(I/I_0))}
    $$
    其中,R0为参考光照强度I0下的阻值,k为材料相关的常数
  2. 光谱特性
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  • 可见光型(400-760nm):与人眼响应接近,广泛用于光控开关、路灯等。
  • 红外型(>760nm):用于火焰探测器、导弹制导、天文探测等。
  • 紫外型(<400nm):用于紫外线检测。
  1. 核心参数
  • 暗电阻(无光照):通常1.5MΩ以上,最高可达100MΩ。
  • 亮电阻(强光照):可低至1kΩ以下。
  • 响应时间:约10ms,存在惰性,不适用于高频场景。
  • 温度系数:阻值受温度影响,高温下灵敏度下降。

典型应用场景
  1. 光控电路
    • 自动路灯、庭院灯:通过光强变化控制开关。
    • 照相机自动曝光:调节光圈或快门速度。
  2. 检测与测量
    • 烟雾报警器:利用光路遮挡检测烟雾。
    • 光电计数器:统计物体通过次数。
  3. 工业与国防
    • 红外制导导弹:探测目标红外辐射。
    • 非接触式测厚仪:检测极薄零件厚度。

使用注意事项
  1. 电路设计要点
    • 需串联分压电阻,避免直接连接电源导致短路。
    • 结合运放或三极管放大信号,提高控制精度(如光控调光电路)。
  2. 环境适应性
    • 避免高温、多湿环境,防止灵敏度下降。
    • 强光长期照射可能导致材料老化。
  3. 选型建议
    • 高灵敏度场景选择暗阻/亮阻比值大的型号(如GM系列)。
    • 红外检测优先选用硫化铅(PbS)材料。

熔断电阻

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熔断电阻的定义与特性

熔断电阻是一种兼具电阻器和熔断器双重功能的元件,在正常工作时作为固定电阻使用,当电路出现过流或过热时,其电阻层或熔断材料会迅速熔断,切断电路以保护其他元件。核心特性包括:

  • 限流保护:在额定电流内正常导电,超过阈值时熔断。
  • 响应快速:熔断时间通常为几秒至几分钟(具体取决于材料与设计)。
分类与工作原理
按修复性分类
  • 可恢复型:
    • 结构:通过低熔点焊料将普通电阻与弹簧金属片串联,密封于外壳中。
    • 原理:过流时焊料熔化,金属片弹开断开电路;修复后可重新焊接使用。
  • 不可恢复型:
    • 结构:电阻膜层或线匝表面涂覆熔断材料(如玻璃浆料)。
    • 原理:过流时材料受热剥落或烧断,需直接更换。
按材料分类
  • 线绕式:功率型涂釉电阻器,阻值小,适用于大电流场景(如工业设备)。
  • 膜式(碳膜/金属膜/金属氧化膜):
    • 通过缩短膜层螺纹间距或覆低熔点材料实现快速熔断,体积小、应用广泛(如家电、通信设备)。

关键参数与检测方
  1. 参数指标
    • 熔断电流:允许的最大过流值(通常为额定电流的6-25倍)。
    • 额定电流:正常工作电流范围(如0.5A-3A)。
    • 阻值:常见为0.22Ω~10kΩ,功率0.25W-3W。
  2. 检测方法
    • 目测:若表面发黑或烧焦,表明过载严重;无痕迹则可能为正常熔断。
    • 万用表测量:断开电路后测量阻值,若为无穷大则已熔断。

应用领域
  1. 消费电子:彩电显像管灯丝保护、手机/笔记本电源电路。
  2. 工业设备:电机控制、通信基站等大电流场景。
  3. 汽车电子:新能源汽车电池管理系统、充电电路保护。
  4. 特殊场景:火箭发射系统需在25ms内不熔断、1s内快速熔断的定制化产品

熔断电阻器,是一种具有电阻器和熔断器双重作用的特殊元件,在正常情况下具有普通电阻的功能,一旦电路出现故障,该电阻会因为过负荷在规定的时间内熔断开路,从而起0到保护其他电路的作用。与传统熔断器和其他保护装置相比,熔断电阻具有结构简单,使用方便,熔断功率小,熔断时间短等优点。

应用与选型

应用

分压

DCDC电源输出反馈
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ADC采样分压(用于超过ADC量程的大电压采样)
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电流采样
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基准电压获取(尽量使用1%及精度更高的电阻)
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光敏电阻(光敏电阻在光照强度较高时电阻很小,容易烧坏,所以串联一个大点的电阻进行分压)
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分流

经常用于大功率场景

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限流

限流电阻

如果对通过的最大电流有限制,往往需要串联一个限流电阻,如LED、稳压二极管、三极管基极等限流电阻。

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自恢复保险丝

电源极性正确接入时,二极管关断,相当于电路回路中串联了一个自恢复保险丝。

电源反接时,二极管导通,使自恢复保险丝过流熔断,电流回路开路。 待自恢复保险丝恢复时,重复熔断。所以反接的时候,自恢复保险丝会反复熔断、恢复,自恢复保险丝和二极管会些许发热。

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信号处理

(1)信号采样(含运放电路)

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(2)RC滤波电路 RC滤波电路的功能是让一定频率范围内的信号通过,而将此频率范围之外的信号加以抑制或使其急剧衰减。当干扰信号与有用信号不在同一频率范围之内,可使用滤波器有效的抑制。

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上下拉

上拉电阻是把信号通过一个电阻接到VCC,下拉电阻是把信号接到GND

1、应用 (1)维持输入引脚处于稳定状态,芯片输入引脚有三种状态,高电平、低电平、高阻态,当引脚悬空时为高阻态,可能会引起输出震荡,例如按键检测IO。

(2)I2C总线,空闲时的状态是由上拉电阻提供,根据总线速度选择合理的阻值,标准模式选10K,快速模式选1K。

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(3)提高单片机I/O口输出的驱动能力(单片机的输出接口类型通常可分为:准双向、推挽Push-Pull、开路几种方式);输出端有IOL(吸电流)和IOH(注电流)两个参数,且前者往往大于后者,设计时应选择合理的驱动方式;Rmin>(VCC-VOL)/IOL Rmax<(VCC- VOH)/ IOH。 (4)器件使能控制引脚设置合理的上、下拉电阻,防止噪声信号的影响,提高抗干扰性能。

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(5)三极管的基极设置合理的上、下拉电阻,防止噪声信号的影响,使三极管截止可靠。

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(6)集电极(或漏极)开路输出电路, 上拉电阻作为电源阻抗,提供高电平;低电平直接接地,需考虑上拉电阻的功耗

(7)插拔检测

2、选择原则 (1)功耗与驱动电流角度:电阻越大,电流越小,功耗越小,驱动能力越小。应在二者之间进行权衡。 (2)通信速率角度:过大的上拉电阻可能会使信号的边沿变平缓,因为电阻与电路寄生电容形成RC低通滤波器,影响信号高频分量传输。 (3)高低电平设定角度:不同电路的高低电平的门槛电平会有不同,电阻应确保输出正确的电平。以上拉电阻为例,当输出低电平时,上拉电阻和开关管导通电阻分压值应确保在零电平门槛之下。Rmin>(VCC-VOL)/IOL Rmax<(VCC- VOH)/ IOH。

假负载(电容放电电阻)

如果电路断电后电容没有放电回路,MCU停止工作后电容的电压就不会很快下降,这个时候再上电MCU的复位引脚不会产生复位信号,MCU不工作,所以如果有快速掉电上电的情况需要在电源处接一个假负载(如果有电源指示灯的话其实也够了),大概10K左右。

阻抗匹配

阻抗匹配的定义与核心原理

阻抗匹配是指信号源或传输线与负载之间通过调整阻抗关系,实现信号能量高效传输的技术。其核心目的是解决以下两类问题:

  1. 功率最大化传输:当负载阻抗与信号源内阻相等(纯电阻电路)或共轭匹配(含电抗电路)时,能量传输效率最高。
  2. 抑制信号反射:在高频电路中,阻抗不匹配会导致信号反射,引起波形畸变(如振铃、过冲),甚至损坏器件。只要是不均匀变化的电信号,在电路中的传播方式都是以电磁波的形式进行的,简单解释就是变化的电场产生变化的磁场,变化的磁场产生变化的电场,形成电磁波,只要是波,水波,光波,电磁波遇到不连续的介质都会产生反射现象,在电路中我们需要保证电信号传播过程中的阻抗连续,这个过程叫做阻抗匹配。 当然并不是所有电路都需要做阻抗匹配,只有高速电路需要 。如果不是高速电路,当然也会反射,只是并不会改变原信号的波形,高速信号必须保证传输线阻抗匹配,否则信号会因反射失真。 消除反射的方法,在传输线末端的末端跨接与传输线的特性阻抗同样大小的终端电阻,使传输线的阻抗连续。由于信号在传输线上的传输是双向的,因此,在通讯传输线的另一端也跨接同样大小的终端电阻

阻抗匹配的作用
  1. 提升功率效率
    • 低频场景:负载阻抗与信号源内阻相等时(如纯电阻电路),负载可获得最大功率。例如,内阻为50Ω的电源驱动50Ω负载时效率最优。
    • 高频场景:需满足共轭匹配条件(实部相等,虚部相反),如天线与射频放大器间的匹配设计。
  2. 减少信号反射
    • 当信号波长与传输线长度相当时,阻抗不匹配会导致反射波与原信号叠加,造成信号失真。例如,高速PCB布线中,特征阻抗为50Ω的走线需与终端负载匹配,避免反射。

实现方法

根据应用场景和频率范围,常用匹配技术包括:

  1. 无源器件匹配
    • L型/π型网络:通过电感、电容的串联或并联调整阻抗,适用于低频到射频电路。
    • 变压器匹配:利用匝数比变换阻抗,常见于射频信号传输(如电视天线300Ω转75Ω匹配器)。
  2. 终端匹配技术
    • 串联终端匹配:在信号源端串联电阻,使总阻抗等于传输线特征阻抗(如高速信号线串联22Ω电阻)
    • 并联终端匹配:在负载端并联电阻,直接匹配传输线阻抗(如485总线终端并联120Ω电阻)。
  3. 传输线调整
    • 通过改变线宽、介质层厚度等参数,控制PCB走线特征阻抗(如50Ω微带线设计)。

ESD、热插拔

当芯片的引脚引线较长,容易产生静电时,就可能会因为ESD损坏芯片,比如按键的检测IO,插针的IO,必须要串联一个电阻保护。 热插拔保护主要是用来防止CMOS芯片发生闩锁(这个原理可以自行百度一下,或者在晶体管章节进行讲解),当热插拔时,VCC上电需要一定时间,可能会出现器件引脚电压先于VCC上电,就有可能发生闩锁损坏芯片,在CPU应用中也会常常出现不同上电时序的情况,所以信号线一定要串电阻进行保护。 一般为100欧姆,信号频率高时,需要改为33欧。

0Ω电阻

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0Ω电阻是一种标称阻值为零的特殊电阻器,其实际阻值极小(通常在毫欧级)


基本特性与参数
  1. 阻值与精度
    • 0Ω电阻并非绝对零阻值,其实际阻值受材料和工艺限制,通常为 10mΩ~50mΩ(如0805封装阻值上限为50mΩ)。
    • 精度分为±5%和±1%等级,±5%精度的阻值范围为050mΩ,±1%则为010mΩ。
  2. 封装与电流能力
    • 常见封装有0402、0603、0805、1206等,不同封装的额定电流不同(如0805为2A,1206为5A)。
    • 需注意 瞬时电流额定电流 的区别:例如0805封装瞬时电流可达5A,但额定电流仅2A。
  3. 特殊类型
    • 部分厂家生产超低阻值型号(如0.5mΩ),可承受20A以上电流,但成本较高。

核心作用与典型应用
  1. 电路调试与隔离
  • 模块隔离:在调试阶段断开0Ω电阻,可隔离不同电路模块,便于定位问题。
  • 参数预留:替代未确定的电阻/电感,后期根据测试结果替换为实际元件。
  1. 信号与电源路径优化
  • 跳线功能:解决PCB布线难题,替代飞线或过孔,减少高频干扰。
  • 电流测量:移除0Ω电阻后串入电流表,测量电路功耗。
  1. 接地与抗干扰设计
  • 单点接地:连接数字地与模拟地,抑制共模干扰(优于磁珠方案)。
  • 高频滤波:利用其微小电感特性,改善EMC问题(如地平面连接)。
  1. 生产与安全
  • 配置选择:通过焊接/移除0Ω电阻切换硬件功能(如通信接口或电源模式)。
  • 过流保护:作为低成本保险丝,过载时熔断以保护后端电路。

使用注意事项
  1. 电流与散热
    • 需计算总功耗,避免多电阻密集布局导致过热(如4个0805并联时总电流不超过8A)。
  2. 替代方案
    • 大电流场景可用导线或定制电阻,但需权衡成本与空间
  3. 设计兼容性
    • 预留焊盘需匹配封装尺寸,防止焊接不良。
    扩展:常见误区
    • 阻值误解:0Ω电阻并非导线,其微小阻值可能影响高精度电路(如电流采样)。
    • 高频应用:在GHz级电路中,0Ω电阻的寄生参数(如电感)可能影响信号完整性

排阻

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基本结构与类型
  1. 引脚结构
    • 排阻通常包含一个公共引脚(带色点或白点标记)和多个独立引脚。例如,由n个电阻组成的排阻共有n+1个引脚,公共端多位于最左侧。
    • A型排阻:奇数引脚,有公共端(如9引脚排阻包含8个电阻); B型排阻:偶数引脚,无公共端(如8引脚排阻包含4个独立电阻)。
  2. 封装形式
    • 紧凑的集成电路式封装,颜色多为黑色或黄色,适合高密度PCB布局。

核心作用与优势
  1. 简化电路设计
    • 替代多个分立电阻,减少电路板布线复杂度。例如:数字电路中的上拉/下拉电阻网络,仅需一个排阻即可实现多个电阻功能。
  2. 提升一致性
    • 同一封装内的电阻具有相同的温度系数和精度,确保信号传输稳定性(如差分信号匹配)。
  3. 生产效率优化
    • SMT贴片加工时,一次贴装多个电阻,降低时间成本和焊接失误率。

关键参数与识别方法
  1. 阻值标注规则
    • 三位数字法:前两位为有效数字,第三位为10的幂次。例如:
      • 103 → 10×10³=10kΩ;222 → 22×10²=2.2kΩ。
    • 精密排阻:四位数字+字母(如2341表示234×10=2340Ω,J代表误差5%)。
  2. 引脚检测
    • 用万用表测量公共端与其他引脚的阻值应为标称值,任意两独立引脚间阻值为标称值的两倍(通过公共端串联)。

典型应用场景
  1. 数字电路
    • 并行通信接口的上拉/下拉电阻,确保信号电平稳定。
  2. 模拟电路
    • 差分信号匹配、精密仪器中的阻抗平衡。
  3. 消费电子
    • 主板、显示器、小家电中广泛用于信号调理和电源管理。

使用注意事项
  1. PCB设计兼容性
    • 需匹配排阻的引脚间距和封装尺寸,避免焊接短路或虚焊。
  2. 散热与功耗
    • 高密度封装可能影响散热,需计算总功耗并留足余量

白炽灯发光

白炽灯的发光原理基于热辐射效应,其核心机制可拆解为以下要点:

发光机制
电流热效应

当电流通过钨丝时,由于钨的电阻特性,电能被转化为热能,灯丝温度迅速升高至约2000~3000℃。

热辐射发光

高温下的钨丝原子因电子跃迁释放能量,产生连续光谱的电磁波,其中可见光部分(波长380~780纳米)即为肉眼感知的光。

关键结构设计
灯丝材料

选用钨丝,因其熔点高达3410℃且电阻率高,能承受高温并有效将电能转化为热能。

保护措施

真空/惰性气体:早期灯泡抽真空以减少氧化,现代白炽灯充氮气或氩气以抑制钨蒸发,延长寿命。 双螺旋结构:灯丝绕成螺旋状,减少与气体接触面积,降低热损耗。

效率与局限性
能量转化率低

仅约5%~10%的电能转化为可见光,其余以红外线(热能)形式散失。

寿命与光衰

钨蒸发导致灯丝变细、断裂(平均寿命约1000小时),同时蒸发的钨沉积在玻壳内壁使灯泡发黑,降低透光性。

发热

金属及合金电阻
  1. 镍铬合金(Ni-Cr)
    • 特点:抗氧化性强,高温稳定性好,适用于1100℃以下环境。
    • 应用:工业电炉、加热管、家电(如电热水器、电烤箱)。
  2. 铁铬铝合金(Fe-Cr-Al)
    • 特点:耐高温性能更优(可达1400℃),表面氧化铝层增强抗腐蚀性。
    • 应用:高温工业炉、热处理设备。
  3. 铂(Pt)与铜(Cu)热电阻
    • 铂电阻:精度高,适用于-200~850℃范围,用于实验室及精密测温加热系统。
    • 铜电阻:线性度好,成本低,适用于-50~150℃的低温加热场景。

非金属电阻材料
  1. 石墨发热体
    • 特点:耐高温(可达2200℃以上),电阻值稳定,需在真空或惰性气体中使用。
    • 应用:高温真空炉、半导体加工设备。
  2. 硅碳棒(SiC)
    • 特点:使用温度1400±50℃,老化后电阻值增加约15%~20%,需定期更换。
    • 应用:陶瓷烧结炉、玻璃熔炉。
  3. 硅钼棒(MoSi₂)
    • 特点:最高工作温度1700℃,表面生成二氧化硅保护层防止氧化。
    • 应用:高温工业炉、金属熔炼设备。

选型

1、功能 先确定电阻功能,是通用、精密、高压、高阻、高频、功率、可变中的哪一种。

2、厂家 优选国产厂家,如国巨(YAGEO)、光颉(VIKING)、美隆(SUP)、天二科技(EVEROHMS)、旺诠(RALEC)、风华高科(FH)等,学生需要考虑采购可行性,淘宝、立创商城出货量最多的电阻为国巨、厚声。

3、封装、功率、耐压、精度 封装、功率、耐压是互相绑定的,需要综合考虑,一般无功率、耐压要求优选0402,有功率要求时,先计算功率,再看哪种封装满足(单个电阻或并联分流),功率与耐压一定要做降额处理,一般降额70%。至于精度选1%精度就行,现在5%与1%工艺成本接近,若大量采购1%电阻成本会更低。

4、阻值 阻值选择一定要考虑归一化问题,即优选常用电阻,一般E24标准中的阻值为常用阻值,例如:1、1.2、2.4、3.3、4.7、5.1、6.8、7.5、8.2、9.1,同一块电路板中电阻尽量相同。

采购

立创商城

如下图所示,依次选择功能,厂家,封装、类型、精度、耐压、功率,阻值。立创商城优点是元器件种类丰富,有datasheet,唯一不足就是不包邮。

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淘宝

淘宝直接搜封装、阻值就行,淘宝优点是包邮,缺点是元器件很杂,卖家都不一定知道他是哪个厂家,也不提供datasheet。

设计

立创EDA

如下图所示,依次选择功能,厂家,封装、类型、精度、耐压、功率,阻值。

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评论

  1. 2 月前
    2025-4-19 0:31:23

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